ASQ65R046EFD - описание и поиск аналогов

 

ASQ65R046EFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASQ65R046EFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для ASQ65R046EFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASQ65R046EFD даташит

 ..1. Size:1257K  cn anhi
 asw65r046efd asq65r046efd asr65r046efd.pdf pdf_icon

ASQ65R046EFD

ASW65R046EFD, ASQ65R046EFD, ASR65R046EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 39m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 3.2 to 4.5 V Table 1 Key Performance Parameters Paramete

Другие MOSFET... ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , ASE70R950E , ASM60R330E , ASM65R280E , IRFB4115 , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , ASU70R600E , , .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.