ASU70R600E Todos los transistores

 

ASU70R600E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASU70R600E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO251

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ASU70R600E datasheet

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 asa70r600e asu70r600e asd70r600e.pdf pdf_icon

ASU70R600E

ASA70R600E ASU70R600E ASD70R600E ASU70R600E ASD70R600E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward transistor forward topologies. PD Adaptor,LCD & PDP TV and LED LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0. RDS(ON) = 0.540 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V E

Otros transistores... ASM60R330E , ASM65R280E , ASQ65R046EFD , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , IRF630 , , , , , , , , .

 

 

 

 

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