ASU70R600E - описание и поиск аналогов

 

ASU70R600E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASU70R600E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для ASU70R600E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASU70R600E даташит

 ..1. Size:1326K  cn anhi
 asa70r600e asu70r600e asd70r600e.pdf pdf_icon

ASU70R600E

ASA70R600E ASU70R600E ASD70R600E ASU70R600E ASD70R600E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward transistor forward topologies. PD Adaptor,LCD & PDP TV and LED LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0. RDS(ON) = 0.540 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V E

Другие MOSFET... ASM60R330E , ASM65R280E , ASQ65R046EFD , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , IRF630 , , , , , , , , .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.