ASW80R290E Todos los transistores

 

ASW80R290E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASW80R290E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO247

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ASW80R290E datasheet

 ..1. Size:1023K  cn anhi
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ASW80R290E

ASA80R290E, ASW80R29 90E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) resistance RDS(ON) = 0.250 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 4.

Otros transistores... ASW60R090EFDA , ASW60R150E , ASW65R041E , ASW65R041EFDA , ASW65R046EFD , ASW65R095EFD , ASW65R110E , ASW65R120EFD , IRFP260 , AUA039N10 , AUA056N08BGL , AUA060N08AG , AUA062N08BG , AUB026N085 , AUB033N08BG , AUB034N10 , .

History: AUB033N08BG | AUB026N085 | ASW65R120EFD | AUA062N08BG | ASW65R110E | AUA039N10

 

 

 

 

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