ASW80R290E - описание и поиск аналогов

 

ASW80R290E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASW80R290E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для ASW80R290E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASW80R290E даташит

 ..1. Size:1023K  cn anhi
 asa80r290e asw80r290e.pdf pdf_icon

ASW80R290E

ASA80R290E, ASW80R29 90E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) resistance RDS(ON) = 0.250 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 4.

Другие MOSFET... ASW60R090EFDA , ASW60R150E , ASW65R041E , ASW65R041EFDA , ASW65R046EFD , ASW65R095EFD , ASW65R110E , ASW65R120EFD , IRFP260 , AUA039N10 , AUA056N08BGL , AUA060N08AG , AUA062N08BG , AUB026N085 , AUB033N08BG , AUB034N10 , .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.