AUB026N085 Todos los transistores

 

AUB026N085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUB026N085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 275 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: TO263

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AUB026N085 datasheet

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AUB026N085

AUP026N085, AUB026N085 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(on) = 2.1m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness Table 1 Key Performance Parameters P

 ..2. Size:946K  cn anhi
 aup026n085 aub026n085 aur020n085.pdf pdf_icon

AUB026N085

AUP026N085, AUB026N085, AUR020N085 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance TO220&TO263 RDS(on) = 2.1m (typ.) TOLL-8L RDS(on) = 1.8 m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced

Otros transistores... ASW65R095EFD , ASW65R110E , ASW65R120EFD , ASW80R290E , AUA039N10 , AUA056N08BGL , AUA060N08AG , AUA062N08BG , 13N50 , AUB033N08BG , AUB034N10 , , , , , , .

History: AUA039N10 | ASW80R290E | AUB033N08BG | ASW65R120EFD | AUA062N08BG | ASW65R110E

 

 

 

 

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