AUB026N085 - описание и поиск аналогов

 

AUB026N085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUB026N085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AUB026N085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUB026N085 даташит

 ..1. Size:761K  cn anhi
 aup026n085 aub026n085.pdf pdf_icon

AUB026N085

AUP026N085, AUB026N085 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(on) = 2.1m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness Table 1 Key Performance Parameters P

 ..2. Size:946K  cn anhi
 aup026n085 aub026n085 aur020n085.pdf pdf_icon

AUB026N085

AUP026N085, AUB026N085, AUR020N085 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance TO220&TO263 RDS(on) = 2.1m (typ.) TOLL-8L RDS(on) = 1.8 m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced

Другие MOSFET... ASW65R095EFD , ASW65R110E , ASW65R120EFD , ASW80R290E , AUA039N10 , AUA056N08BGL , AUA060N08AG , AUA062N08BG , 13N50 , AUB033N08BG , AUB034N10 , , , , , , .

History: AUA062N08BG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.