AUN050N08BGL Todos los transistores

 

AUN050N08BGL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUN050N08BGL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AUN050N08BGL datasheet

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AUN050N08BGL

AUP056N08BGL, AUD056N08BGL, AUN050N08BGL, AUA056N08BGL, AUB056N08BGL MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.9m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 1.2 to 2.5 V Table 1 Key Pe

 9.1. Size:1110K  cn anhi
 aun053n10 aub056n10 aup056n10.pdf pdf_icon

AUN050N08BGL

AUN053N10, AUB056N10, AUP056N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance DFN5X6 RDS(ON) = 4.6m (typ.) TO263 RDS(ON) = 4.8m (typ.) TO220 RDS(ON) = 4.8m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt

Otros transistores... AUD056N08BGL , AUD060N055 , AUD060N08AG , AUD062N08BG , AUD069N10A , AUN036N10 , AUN042N055 , AUN045N085 , 10N65 , AUN053N10 , AUN060N08AG , AUN062N08BG , AUN063N10 , AUN065N10 , AUN084N10 , , .

 

 

 

 

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