AUN050N08BGL - описание и поиск аналогов

 

AUN050N08BGL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUN050N08BGL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AUN050N08BGL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUN050N08BGL даташит

 ..1. Size:962K  cn anhi
 aup056n08bgl aud056n08bgl aun050n08bgl aua056n08bgl aub056n08bgl.pdf pdf_icon

AUN050N08BGL

AUP056N08BGL, AUD056N08BGL, AUN050N08BGL, AUA056N08BGL, AUB056N08BGL MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.9m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 1.2 to 2.5 V Table 1 Key Pe

 9.1. Size:1110K  cn anhi
 aun053n10 aub056n10 aup056n10.pdf pdf_icon

AUN050N08BGL

AUN053N10, AUB056N10, AUP056N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance DFN5X6 RDS(ON) = 4.6m (typ.) TO263 RDS(ON) = 4.8m (typ.) TO220 RDS(ON) = 4.8m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt

Другие MOSFET... AUD056N08BGL , AUD060N055 , AUD060N08AG , AUD062N08BG , AUD069N10A , AUN036N10 , AUN042N055 , AUN045N085 , 10N65 , AUN053N10 , AUN060N08AG , AUN062N08BG , AUN063N10 , AUN065N10 , AUN084N10 , , .

History: AUN060N08AG | AUN084N10 | AUN062N08BG | AUN065N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.