AUN084N10 Todos los transistores

 

AUN084N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUN084N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 387 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AUN084N10 datasheet

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AUN084N10

AUN084N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Portable equipment, Battery powered system 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.005 (typ.) High speed power switching Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 100 V DS @ T j,max R 8.4 DS(on),max m Q 41.7 nC g,typ I 106 A D,pulse 3. Packaging and Internal Circuit

Otros transistores... AUN042N055 , AUN045N085 , AUN050N08BGL , AUN053N10 , AUN060N08AG , AUN062N08BG , AUN063N10 , AUN065N10 , 20N50 , , , , , , , , .

History: AUN063N10 | AUN050N08BGL | AUN062N08BG | AUN065N10 | AUN060N08AG

 

 

 

 

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