AUN084N10 - описание и поиск аналогов

 

AUN084N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUN084N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 387 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AUN084N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUN084N10 даташит

 ..1. Size:660K  cn anhi
 aun084n10.pdf pdf_icon

AUN084N10

AUN084N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Portable equipment, Battery powered system 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.005 (typ.) High speed power switching Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 100 V DS @ T j,max R 8.4 DS(on),max m Q 41.7 nC g,typ I 106 A D,pulse 3. Packaging and Internal Circuit

Другие MOSFET... AUN042N055 , AUN045N085 , AUN050N08BGL , AUN053N10 , AUN060N08AG , AUN062N08BG , AUN063N10 , AUN065N10 , 20N50 , , , , , , , , .

History: AUN065N10 | AUN062N08BG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.