AUP074N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUP074N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 123 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 361 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0074 Ohm

Encapsulados: TO220

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AUP074N10 datasheet

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AUP074N10

AUP074N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.5m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.4 to 3.4 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 100 V DS @

Otros transistores... QM3126M3, AP220N04P, AP220N04T, HYG053N10NS1P, HYG053N10NS1B, AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, IRFB7545