AUP074N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUP074N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AUP074N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUP074N10 даташит

 ..1. Size:837K  cn anhi
 aup074n10.pdf pdf_icon

AUP074N10

AUP074N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.5m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.4 to 3.4 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 100 V DS @

Другие IGBT... QM3126M3, AP220N04P, AP220N04T, HYG053N10NS1P, HYG053N10NS1B, AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, IRFB7545