AUR014N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUR014N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 316 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: TOLL

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AUR014N10 datasheet

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AUR014N10

AUR014N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance TOLL-8L RDS(on) = 1.2m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness Table 1 Key Performance Parameters Para

Otros transistores... AP220N04P, AP220N04T, HYG053N10NS1P, HYG053N10NS1B, AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10, AON7403