AUR014N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUR014N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 316 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для AUR014N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUR014N10 даташит

 ..1. Size:617K  cn anhi
 aur014n10.pdf pdf_icon

AUR014N10

AUR014N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance TOLL-8L RDS(on) = 1.2m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness Table 1 Key Performance Parameters Para

Другие IGBT... AP220N04P, AP220N04T, HYG053N10NS1P, HYG053N10NS1B, AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10, AON7403