AUW025N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUW025N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 305 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1577 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO247

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AUW025N10 datasheet

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AUW025N10

AUR020N10, AUW025N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(on) TOLL = 1.6m (typ.) RDS(on) TO247 = 2.1m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness

Otros transistores... AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10, AUR014N10, AUR020N085, AUR020N10, AUR030N10, MMIS60R580P