AUW025N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUW025N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 305 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1577 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AUW025N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUW025N10 даташит

 ..1. Size:1123K  cn anhi
 aur020n10 auw025n10.pdf pdf_icon

AUW025N10

AUR020N10, AUW025N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(on) TOLL = 1.6m (typ.) RDS(on) TO247 = 2.1m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness

Другие IGBT... AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10, AUR014N10, AUR020N085, AUR020N10, AUR030N10, MMIS60R580P