AUW033N08BG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUW033N08BG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 340 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1292 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: TO247

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AUW033N08BG datasheet

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 aub033n08bg aup033n08bg auw033n08bg.pdf pdf_icon

AUW033N08BG

AUB 8BG A N08BG 033N08BG B033N08 AUP033N AUW0 MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 9m (typ.) source on-res DS(ON) = 2.9 High speed power switc ching Enhanced b dv/dt capability body diod

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