AUW033N08BG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUW033N08BG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 340 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1292 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AUW033N08BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUW033N08BG даташит

 ..1. Size:471K  cn anhi
 aub033n08bg aup033n08bg auw033n08bg.pdf pdf_icon

AUW033N08BG

AUB 8BG A N08BG 033N08BG B033N08 AUP033N AUW0 MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 9m (typ.) source on-res DS(ON) = 2.9 High speed power switc ching Enhanced b dv/dt capability body diod

Другие IGBT... AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10, AUR014N10, AUR020N085, AUR020N10, AUR030N10, AUW025N10, AOD4184A