EHBA036R1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EHBA036R1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: PRPAK5X6

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EHBA036R1 datasheet

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EHBA036R1

EHBA036R1 Single N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Features BVDSS 30 V Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed ID@VGS=10V ,TC=25 C 50 A Green Device Available VGS = 10 V , ID = 20 A 7 Excellent CdV/dt effect decline RDSON(MAX) m Advanced high cell density Trench VGS = 4.5 V , ID = 15 A 10 technology Application Battery management Power Management S

Otros transistores... AP3N9R5YT, AP3P020H, AP3P050AH, AP4024GEMT-HF, AP4NAR95CMT-A, AP65SA145DDT8, AP6NA3R2MT, CRTT067N10N, 50N06