EHBA036R1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EHBA036R1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: PRPAK5X6

Аналог (замена) для EHBA036R1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EHBA036R1 даташит

 ..1. Size:646K  1
 ehba036r1.pdf pdf_icon

EHBA036R1

EHBA036R1 Single N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Features BVDSS 30 V Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed ID@VGS=10V ,TC=25 C 50 A Green Device Available VGS = 10 V , ID = 20 A 7 Excellent CdV/dt effect decline RDSON(MAX) m Advanced high cell density Trench VGS = 4.5 V , ID = 15 A 10 technology Application Battery management Power Management S

Другие IGBT... AP3N9R5YT, AP3P020H, AP3P050AH, AP4024GEMT-HF, AP4NAR95CMT-A, AP65SA145DDT8, AP6NA3R2MT, CRTT067N10N, 50N06