CM3400 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM3400

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SOT23

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CM3400 datasheet

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CM3400

CM3400 N-Channel 30V (D-S) Power MOSFET Description Applications CM3400 is the N-Channel enhancement mode power field Cellular Handsets and Accessories effect transistors with high cell density, trench technology. Personal Digital Assistants This high density process and design have been optimized Portable Instrumentation switching performance and especially tai

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CM3400

CM3407 P-Channel 30V (D-S) Power MOSFET Description Applications CM3407 is the P-Channel enhancement mode power field Cellular Handsets and Accessories effect transistors with high cell density, trench technology. Personal Digital Assistants This high density process and design have been optimized Portable Instrumentation switching performance and especially tai

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