CM3400. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CM3400

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для CM3400

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM3400 даташит

 ..1. Size:724K  cn appliedpower
 cm3400.pdf pdf_icon

CM3400

CM3400 N-Channel 30V (D-S) Power MOSFET Description Applications CM3400 is the N-Channel enhancement mode power field Cellular Handsets and Accessories effect transistors with high cell density, trench technology. Personal Digital Assistants This high density process and design have been optimized Portable Instrumentation switching performance and especially tai

 9.1. Size:699K  cn appliedpower
 cm3407.pdf pdf_icon

CM3400

CM3407 P-Channel 30V (D-S) Power MOSFET Description Applications CM3407 is the P-Channel enhancement mode power field Cellular Handsets and Accessories effect transistors with high cell density, trench technology. Personal Digital Assistants This high density process and design have been optimized Portable Instrumentation switching performance and especially tai

Другие IGBT... AP4NAR95CMT-A, AP65SA145DDT8, AP6NA3R2MT, CRTT067N10N, EHBA036R1, FKBB3105, SVF11N65T, SVF11N65F, IRF1404