FTE02P15G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTE02P15G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SOP8

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FTE02P15G datasheet

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FTE02P15G

FTE02P15G/FTP02P15G 150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features High Dense Cell Design for Low R DS(ON) Part Number BV R I DSX DS(ON) (Typ.) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure RoHS Compliant FTE02P15G -150V 0.20 -2.3A Halogen-free Available 100% Avalanche Tested FTP02P15G -150V 0.20 -15A TO-220AB SOP-8 D D Applications

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