FTE02P15G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTE02P15G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTE02P15G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTE02P15G даташит

 ..1. Size:350K  ark-micro
 fte02p15g ftp02p15g.pdf pdf_icon

FTE02P15G

FTE02P15G/FTP02P15G 150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features High Dense Cell Design for Low R DS(ON) Part Number BV R I DSX DS(ON) (Typ.) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure RoHS Compliant FTE02P15G -150V 0.20 -2.3A Halogen-free Available 100% Avalanche Tested FTP02P15G -150V 0.20 -15A TO-220AB SOP-8 D D Applications

Другие IGBT... SVF11N65T, SVF11N65F, CM3400, CM3407, CM4407, AKF20P45D, AKF30N10S, AKF30N5P0SX, IRFB4227