FTF30P35D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTF30P35D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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FTF30P35D datasheet

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FTF30P35D

FTF30P35D Dual P-Channel 350V Enhancement Mode MOSFETs General Features Proprietary Advanced Planar Technology BV R (Max.) I DSS DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed -350V 30 -0.5A RoHS Compliant Halogen-free available PDFN3333 Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC Ordering

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