FTF30P35D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTF30P35D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6.94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для FTF30P35D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTF30P35D даташит

 ..1. Size:306K  ark-micro
 ftf30p35d.pdf pdf_icon

FTF30P35D

FTF30P35D Dual P-Channel 350V Enhancement Mode MOSFETs General Features Proprietary Advanced Planar Technology BV R (Max.) I DSS DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed -350V 30 -0.5A RoHS Compliant Halogen-free available PDFN3333 Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC Ordering

Другие IGBT... AKF20P45D, AKF30N10S, AKF30N5P0SX, FTE02P15G, FTP02P15G, FTE15C35G, FTF15N35D, FTF25N35DHVT, 2N7000