CRJQ80N65F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRJQ80N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 470 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 131 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 137 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO247

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CRJQ80N65F datasheet

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CRJQ80N65F

CRJQ80N65F ( ) SJMOS N-MOSFET 650V, 77m , 43A Features Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650V RDS(on)_typ Better efficiency due to very low FOM 77m ID Ultra-fast body diode 43A Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 10

Otros transistores... ASDM100R045NQ, ASDM100R066NQ, ASDM100R090NP, ASDM100R160NKQ, ASDM100R750PKQ, ASDM12N65F, ASDM20N100Q, ASDM20N20KQ, IRF9540N