CRJQ80N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CRJQ80N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 470 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 131 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для CRJQ80N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRJQ80N65F даташит

 ..1. Size:427K  crhj
 crjq80n65f.pdf pdf_icon

CRJQ80N65F

CRJQ80N65F ( ) SJMOS N-MOSFET 650V, 77m , 43A Features Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650V RDS(on)_typ Better efficiency due to very low FOM 77m ID Ultra-fast body diode 43A Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 10

Другие IGBT... ASDM100R045NQ, ASDM100R066NQ, ASDM100R090NP, ASDM100R160NKQ, ASDM100R750PKQ, ASDM12N65F, ASDM20N100Q, ASDM20N20KQ, IRF9540N