RM50P30DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RM50P30DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 695 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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RM50P30DF datasheet

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RM50P30DF

RM50P30DF P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The RM50P30DF uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDS =-30V,ID =-50A RDS(ON)

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