RM50P30DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RM50P30DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 695 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для RM50P30DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RM50P30DF даташит

 ..1. Size:202K  rectron
 rm50p30df.pdf pdf_icon

RM50P30DF

RM50P30DF P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The RM50P30DF uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDS =-30V,ID =-50A RDS(ON)

Другие IGBT... ASDM100R750PKQ, ASDM12N65F, ASDM20N100Q, ASDM20N20KQ, CRJQ80N65F, CRST030N10N, CRSS028N10N, CRTT095N12N, K3569