ASDM30P30BE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASDM30P30BE

Código: 30P30B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 371 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: PDFN3.3X3.3-8

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ASDM30P30BE datasheet

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ASDM30P30BE

ASDM30P30BE -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 10 m DS(ON).Typ@ VGS=-10V Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications PDFN3.3*3.3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified) A Symbol Parameter Max. Units V Drain-Source Voltage -30 V

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ASDM30P30BE

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

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ASDM30P30BE

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

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ASDM30P30BE

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

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