ASDM30P30BE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM30P30BE

Маркировка: 30P30B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 371 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8

Аналог (замена) для ASDM30P30BE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30P30BE даташит

 ..1. Size:1442K  ascend
 asdm30p30be.pdf pdf_icon

ASDM30P30BE

ASDM30P30BE -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 10 m DS(ON).Typ@ VGS=-10V Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications PDFN3.3*3.3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified) A Symbol Parameter Max. Units V Drain-Source Voltage -30 V

 5.1. Size:435K  1
 asdm30p30ctd-r.pdf pdf_icon

ASDM30P30BE

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 5.2. Size:577K  1
 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P30BE

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 5.3. Size:435K  ascend
 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P30BE

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ASDM12N65F, ASDM20N100Q, ASDM20N20KQ, CRJQ80N65F, CRST030N10N, CRSS028N10N, CRTT095N12N, RM50P30DF, IRFP260, ASDM3400ZA, ASDM3401, ASDM3401ZA, ASDM3415ZA, ASDM3416EZA, ASDM40DN20E, ASDM40N100P, ASDM40N40E