ASDM540G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASDM540G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO263

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ASDM540G datasheet

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ASDM540G

ASDM540G 100V N-Channel MOSFET Feature High density cell design for lower Rdson Product Summary Fully characterized avalanche voltage and current VDS 100 V Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation RDS(on),Typ@VGS=10V m 31 ID 33 A Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits

Otros transistores... ASDM40DN20E, ASDM40N100P, ASDM40N40E, ASDM40N60KQ, ASDM40N80KQ, ASDM40R009NQ, ASDM4606S, ASDM4976S, NCEP15T14, ASDM60N30KQ, ASDM60N45KQ, ASDM60N50KQ, ASDM60N70Q, ASDM60N80KQ, ASDM60P12KQ, ASDM60R042NQ, ASDM6802ZC