ASDM540G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM540G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для ASDM540G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM540G даташит

 ..1. Size:983K  ascend
 asdm540g.pdf pdf_icon

ASDM540G

ASDM540G 100V N-Channel MOSFET Feature High density cell design for lower Rdson Product Summary Fully characterized avalanche voltage and current VDS 100 V Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation RDS(on),Typ@VGS=10V m 31 ID 33 A Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits

Другие IGBT... ASDM40DN20E, ASDM40N100P, ASDM40N40E, ASDM40N60KQ, ASDM40N80KQ, ASDM40R009NQ, ASDM4606S, ASDM4976S, NCEP15T14, ASDM60N30KQ, ASDM60N45KQ, ASDM60N50KQ, ASDM60N70Q, ASDM60N80KQ, ASDM60P12KQ, ASDM60R042NQ, ASDM6802ZC