BCD80N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCD80N06 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 286 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO252

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de BCD80N06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

BCD80N06 datasheet

..1. Size:1125K cn shandong baocheng elec
bcd80n06.pdf pdf_icon

BCD80N06 Description N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 80A Load Switch R