BCD80N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCD80N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BCD80N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BCD80N06 даташит

 ..1. Size:1125K  cn shandong baocheng elec
 bcd80n06.pdf pdf_icon

BCD80N06

BCD80N06 Description N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 80A Load Switch R

Другие IGBT... BCT7N65, BCD7N65, BCT4N65, BCD4N65, BCT12N65, BCD12N65, H50N06, T50N06, IRFB7545