BCD90N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCD90N03 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 326 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO252

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de BCD90N03 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

BCD90N03 datasheet

..1. Size:930K cn shandong baocheng elec
bcd90n03.pdf pdf_icon

BCD90N03 Description N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V,90A Load Switch R