BCD90N03 datasheet, аналоги, параметры транзистора

BCD90N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCD90N03 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 326 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для BCD90N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:930K cn shandong baocheng elec
bcd90n03.pdf pdf_icon

BCD90N03 Description N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V,90A Load Switch R