BCD70N07A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCD70N07A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 116 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 261 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: TO252

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BCD70N07A datasheet

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BCD70N07A

BCD70N07A Description N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 80A Load Switch R

Otros transistores... BCT4N65, BCD4N65, BCT12N65, BCD12N65, H50N06, T50N06, BCD80N06, BCD90N03, K2611