BCD70N07A datasheet, аналоги, параметры транзистора

BCD70N07A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCD70N07A 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 261 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для BCD70N07A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:671K cn shandong baocheng elec
bcd70n07a.pdf pdf_icon

BCD70N07A Description N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 80A Load Switch R