CS65N25AKR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS65N25AKR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 420 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 309 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 672 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO247

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CS65N25AKR datasheet

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CS65N25AKR

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS65N25 AKR General Description VDSS 250 V CS65N25 AKR, the silicon N-channel Enhanced ID 65 A PD (TC=25 ) 420 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 42 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

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CS65N25AKR

CS65N20-30 N PD TC=25 375 W ID VGS=10V,TC=25 65 A IDM 140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.05 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs

Otros transistores... BCT12N65, BCD12N65, H50N06, T50N06, BCD80N06, BCD90N03, BCD70N07A, AOL1718, RU7088R