CS65N25AKR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS65N25AKR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 309 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS65N25AKR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS65N25AKR даташит

 ..1. Size:578K  1
 cs65n25akr.pdf pdf_icon

CS65N25AKR

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS65N25 AKR General Description VDSS 250 V CS65N25 AKR, the silicon N-channel Enhanced ID 65 A PD (TC=25 ) 420 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 42 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.1. Size:111K  china
 cs65n20-30.pdf pdf_icon

CS65N25AKR

CS65N20-30 N PD TC=25 375 W ID VGS=10V,TC=25 65 A IDM 140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.05 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs

Другие IGBT... BCT12N65, BCD12N65, H50N06, T50N06, BCD80N06, BCD90N03, BCD70N07A, AOL1718, RU7088R