BM3139KT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BM3139KT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.79 Ohm

Encapsulados: SOT523

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BM3139KT datasheet

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BM3139KT

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BM3139KT

BM3134KE N-Channel MOSFET Features Pin Configurations V = 20V DS I D = 0.75A R @V = 4.5V, Max =380m DS(ON) GS R @V = 2.5V, Max =450m DS(ON) GS R @V = 1.8V, Max =800m DS(ON) GS General Description Lead Free Product is Acquired Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-723 for Surface Mount Pa

 9.2. Size:890K  born
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BM3139KT

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