BM3139KT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BM3139KT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm

Тип корпуса: SOT523

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BM3139KT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BM3139KT даташит

 ..1. Size:539K  born
 bm3139kt.pdf pdf_icon

BM3139KT

 9.1. Size:662K  born
 bm3134ke.pdf pdf_icon

BM3139KT

BM3134KE N-Channel MOSFET Features Pin Configurations V = 20V DS I D = 0.75A R @V = 4.5V, Max =380m DS(ON) GS R @V = 2.5V, Max =450m DS(ON) GS R @V = 1.8V, Max =800m DS(ON) GS General Description Lead Free Product is Acquired Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-723 for Surface Mount Pa

 9.2. Size:890K  born
 bm3134e.pdf pdf_icon

BM3139KT

Другие IGBT... BCD90N03, BCD70N07A, AOL1718, CS65N25AKR, AO3401F, AO3415E, BM3134E, BM3134KE, IRFP064N