BM8205 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BM8205  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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BM8205 datasheet

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BM8205

BM8205 20V Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Pin Configurations V = 20V DS I D = 4A R @V = 4.5V, TYP =22m DS(ON) GS R @V = 2.5V, TYP =28m DS(ON) GS General Description Very low on-resistance RDS(ON) High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current SOT23-6L for Surface Mount Package. APPLIC

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