BM8205 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BM8205  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BM8205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BM8205 даташит

 ..1. Size:723K  born
 bm8205.pdf pdf_icon

BM8205

BM8205 20V Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Pin Configurations V = 20V DS I D = 4A R @V = 4.5V, TYP =22m DS(ON) GS R @V = 2.5V, TYP =28m DS(ON) GS General Description Very low on-resistance RDS(ON) High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current SOT23-6L for Surface Mount Package. APPLIC

Другие IGBT... BCD70N07A, AOL1718, CS65N25AKR, AO3401F, AO3415E, BM3134E, BM3134KE, BM3139KT, AO4468