BMSN3139 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BMSN3139  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60(max) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: SOT323

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BMSN3139 datasheet

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BMSN3139

BMSN3139 P-Channel Enhancement mode MOSFET Features Pin Configurations V = -20V DS I D = -2A R @V = -4.5V, Max =135m DS(ON) GS R @V = -2.5V, Max =190m DS(ON) GS General Description Advanced tr ench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-323 for Surface Mount Package. Applicatin PWM applications Loa

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