BMSN3139 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BMSN3139  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60(max) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: SOT323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BMSN3139

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BMSN3139 даташит

 ..1. Size:753K  born
 bmsn3139.pdf pdf_icon

BMSN3139

BMSN3139 P-Channel Enhancement mode MOSFET Features Pin Configurations V = -20V DS I D = -2A R @V = -4.5V, Max =135m DS(ON) GS R @V = -2.5V, Max =190m DS(ON) GS General Description Advanced tr ench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-323 for Surface Mount Package. Applicatin PWM applications Loa

Другие IGBT... BM3134E, BM3134KE, BM3139KT, BM8205, BMDFN2301, BMDFN2302, BMS2301, BMS2302, IRF840