BP0405SCG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BP0405SCG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5(5.5) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3(5.5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80(72) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026(0.06) Ohm

Encapsulados: SOP8

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BP0405SCG datasheet

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BP0405SCG

BP0405SCG 40V Complementary MOSFET Description Features The BP0405SCG uses advanced trench technology to N-Channel provide excellent R and low gate charge. The DS(ON) V =40V, I =6A DS D complementary MOSFETs can be used in a wide R

Otros transistores... BMS2302, BMSN3139, SI2301F, SI2309S, BL4N90, BLM3404, B50T040F, B50T070F, IRF640